需要和须要意思的区别简单理解，必须与必需的区别通俗易懂

　　大(dà)家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全需要和须要意思的区别简单理解，必须与必需的区别通俗易懂审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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